磁控溅射靶材原理：电子在电场的效果下加快飞向基片的过程中与氩原子产生磕碰，电离出很多的氩离子和电子，电子飞向基片。
氩离子在电场的效果下加快轰击靶材，溅射出很多的靶材原子，呈中性的靶原子(或分子)沉积在基片上成膜。二次电子在加快飞向基片的过程中遭到磁场洛仑磁力的影响，被束缚在接近靶面的等离子体区域内，该区域内等离子体密度很高，二次电子在磁场的效果下环绕靶面作圆周运动，该电子的运动途径很长。
在运动过程中不断的与氩原子产生磕碰电离出很多的氩离子轰击靶材，通过多次磕碰后电子的能量逐渐降低，摆脱磁力线的束缚，远离靶材，Z终沉积在基片上。
磁控溅射就是以磁场束缚和延长电子的运动途径，改变电子的运动方向，进步作业气体的电离率和有效使用电子的能量。电子的归宿不仅仅是基片，真空室内壁及靶源阳极也是电子归宿。但一般基片与真空室及阳极在同一电势。磁场与电场的交互效果( E X B drift)使单个电子轨道呈三维螺旋状，而不是仅仅在靶面圆周运动。至于靶面圆周型的溅射概括，那是靶源磁场磁力线呈圆周形状形状。
磁力线分布方向不同会对成膜有很大关系。 在E X B shift机理下作业的不光磁控溅射，多弧镀靶源，离子源，等离子源等都在次原理下作业。所不同的是电场方向，电压电流巨细罢了。
