名称：镍钒（NiV）靶材 Nickel Vanadium Target
纯度：99.9%，99.95%, 99.99%
形状：平面靶，柱状靶，电弧靶，异型靶
在集成电路的膜层中一般用金做导电层，但金与晶圆（硅）容易生成AuSi低熔点化合物，导致金与硅界面粘接不牢固，因此在金和硅晶圆的表面之间增加了粘接层。一般用纯镍做粘接层，但镍膜层和金膜导电层之间也会扩散，因此还需要阻挡层，来防止金膜层和镍膜层之间的扩散。阻挡层常常采用熔点高的金属，还要承受较大的电流密度，高纯金属钒便能满足该要求。所以在集成电路领域会用到镍溅射靶材、钒溅射靶材、金溅射靶材等。镍钒溅射靶材是在镍熔体中加入钒，制成镍钒合金靶材，该合金铁磁性较弱，更有利于磁控溅射，可同时实现镍溅射靶材和钒溅射靶材的优点，一次完成镍层（粘接层）和钒层（阻挡层）的制备。由于镍钒合金无磁性，广泛应用在电子及信息产业等领域。
我们生产的Ni-7V wt%靶材规格值
纯度 | 主成分(wt%) | 杂质元素（≤ppm） | 杂质之和(≤ppm) | ||||||
V | Fe | Al | Si | C | N | O | S | ||
99.99 | 7±0.5 | 20 | 30 | 20 | 100 | 30 | 100 | 20 | 100 |
99.95 | 7±0.5 | 200 | 200 | 200 | 100 | 100 | 200 | 50 | 500 |
99.9 | 7±0.5 | 300 | 300 | 300 | 100 | 100 | 200 | 50 | 500 |
